Este documento describe el KVR26S19S6 / 4 de ValueRAM como 512 M x 64 bits (4 GB) DDR4-2666 CL19 SDRAM (síncrona DRAM), 1Rx16, módulo de memoria, basado en cuatro 512M x 16 bits Componentes FBGA. El SPD está programado para JEDEC latencia estándar DDR4-2666 temporización de 19-19-19 a 1,2 V. Esta El SODIMM de 260 pines utiliza dedos de contacto dorados. El eléctrico y Las especificaciones mecánicas son las siguientes:



CL (IDD) 19 ciclos

Tiempo de ciclo de fila (tRCmin) 45,75 ns (mínimo)

Actualizar a Activo / Actualizar Tiempo de comando (tRFCmin) 350ns (mín.)

Tiempo activo de fila (tRASmin) 32ns (mín.)

Potencia de funcionamiento máxima TBD W *

Clasificación UL 94 V - 0

Temperatura de funcionamiento 0o C hasta + 85o

Temperatura de almacenamiento C-55o C hasta + 100o C

La potencia variará según la SDRAM utilizada.

Características

• Fuente de alimentación: VDD = 1,2 V típico

• VDDQ = 1,2 V típico

• VPP = 2,5 V típico

• VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V

• Terminación en matriz (ODT) nominal y dinámica para señales de datos, luz estroboscópica y máscara

• Autoactualización de bajo consumo (LPASR)

• Inversión de bus de datos (DBI) para bus de datos

• Generación y calibración de VREFDQ en matriz

• Rango único

• EEPROM de detección de presencia (SPD) en serie I2 integrada

• 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada uno

• Corte de ráfaga fijo (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 mediante el conjunto de registros de modo (MRS)

• BC4 o BL8 seleccionables sobre la marcha (OTF)

• Topología fly-by

• Bus de dirección y comando de control terminado

• PCB: Altura 1,18 ''(30,00 mm)

• Cumple con RoHS y sin halógenos'

PN:KVR26S19S6/4
Modelo:KVR26S19S6/4
EAN UPC:740617280647